光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。