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問答題
【簡答題】雙極晶體管（BJT）的雙極是什么意思？BJT有哪幾種類型？BJT主要應(yīng)用在哪些方面？
答案：BJT的雙極是指參與器件電流輸運(yùn)的載流子是兩個(gè)，即電子和空穴。
BJT有四種類型，分別是NPN的耗...
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【簡答題】PN結(jié)二極管的特性是什么？PN結(jié)的空間電荷區(qū)與內(nèi)建電場是如何形成的？空間電荷區(qū)為什么是高阻的？
答案：
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【簡答題】設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)：先將一塊本征半導(dǎo)體變成N型半導(dǎo)體，然后再設(shè)法使它變成P型半導(dǎo)體。
答案：
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【簡答題】寫出全球10大著名的Foundry（代工）企業(yè)的名稱
答案：
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【簡答題】為什么絕大多數(shù)的集成電路都采用了Si半導(dǎo)體？
答案：
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【簡答題】最初只知道一個(gè)特殊的硅器件摻雜是用離子注入方法制備的，后經(jīng)過測量得知：表面雜質(zhì)濃度為4×10¹³cm^-3，峰值在1800Å深處，峰值濃度為5×10¹⁷cm^-3。假定離子注入服從對稱高斯分布，你能估計(jì)出它的注入劑量是多少嗎？
答案：
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【簡答題】
假設(shè)某項(xiàng)化學(xué)氣相淀積工藝受反應(yīng)速率控制，在700 ℃和800 ℃時(shí)的淀積速率分別為500Å/min和2000Å/min，請計(jì)算在900℃下的淀積速率是多少？實(shí)際測量發(fā)現(xiàn)900℃下淀積速率遠(yuǎn)低于計(jì)算值，說明什么？怎樣證明？（化學(xué)氣相淀積的反應(yīng)速率常數(shù)）
答案：
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【簡答題】
識別如圖所示工藝，寫出每個(gè)步驟名稱并進(jìn)行描述。

答案：如圖所示工藝每個(gè)步驟名稱為：
1 氣相成底膜：清洗、脫水，脫水烘焙后立即用HMDS進(jìn)行成膜處理，起到...
問答題
【簡答題】
如圖為鋁金屬化與銅金屬化工藝的比較。識別并描述每個(gè)工藝步驟。

答案：（a）鋁金屬化工藝下層鋁導(dǎo)線層間絕緣介質(zhì)沉積/平坦化通孔刻蝕通孔填充，形成鎢插塞上層鋁淀積上層鋁導(dǎo)線刻蝕
（b...
問答題
【簡答題】
依照如圖，對硅片制造廠的六個(gè)分區(qū)分別做一個(gè)簡短的描述，要求寫出分區(qū)的主要功能、主要設(shè)備以及顯著特點(diǎn)。

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【簡答題】電子級poly-Si的純度是多少？比較CZ法與FZ法制備Si單晶的優(yōu)缺點(diǎn)。

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識別如圖所示工藝，寫出每個(gè)步驟名稱并進(jìn)行描述。

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如圖為鋁金屬化與銅金屬化工藝的比較。識別并描述每個(gè)工藝步驟。

【簡答題】
依照如圖，對硅片制造廠的六個(gè)分區(qū)分別做一個(gè)簡短的描述，要求寫出分區(qū)的主要功能、主要設(shè)備以及顯著特點(diǎn)。

【簡答題】電子級poly-Si的純度是多少？比較CZ法與FZ法制備Si單晶的優(yōu)缺點(diǎn)。

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【簡答題】設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)：先將一塊本征半導(dǎo)體變成N型半導(dǎo)體，然后再設(shè)法使它變成P型半導(dǎo)體。

【簡答題】寫出全球10大著名的Foundry（代工）企業(yè)的名稱

【簡答題】為什么絕大多數(shù)的集成電路都采用了Si半導(dǎo)體？

【簡答題】 識別如圖所示工藝，寫出每個(gè)步驟名稱并進(jìn)行描述。

【簡答題】 如圖為鋁金屬化與銅金屬化工藝的比較。識別并描述每個(gè)工藝步驟。

【簡答題】 依照如圖，對硅片制造廠的六個(gè)分區(qū)分別做一個(gè)簡短的描述，要求寫出分區(qū)的主要功能、主要設(shè)備以及顯著特點(diǎn)。

【簡答題】電子級poly-Si的純度是多少？比較CZ法與FZ法制備Si單晶的優(yōu)缺點(diǎn)。

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識別如圖所示工藝，寫出每個(gè)步驟名稱并進(jìn)行描述。

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如圖為鋁金屬化與銅金屬化工藝的比較。識別并描述每個(gè)工藝步驟。

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依照如圖，對硅片制造廠的六個(gè)分區(qū)分別做一個(gè)簡短的描述，要求寫出分區(qū)的主要功能、主要設(shè)備以及顯著特點(diǎn)。