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A、內(nèi)部缺陷處的漏磁通，比同樣大小的表面缺陷為大
B、缺陷的漏磁通通常同試件上的磁通密度成反比
C、表面缺陷的漏磁通密度，隨著離開(kāi)表面距離的增加而急劇減弱
D、用有限線圈磁化長(zhǎng)的試件，不需進(jìn)行分段磁化

A．缺陷離試件表面越近，形成的漏磁通越小
B．在磁化狀態(tài)、缺陷類(lèi)型和大小為一定時(shí)，其漏磁通密度受缺陷方向影響
C．交流磁化時(shí)，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時(shí)的漏磁通要小
D．在磁場(chǎng)強(qiáng)度、缺陷類(lèi)型和大小為一定時(shí)，其漏磁通密度受磁化方向影響；
E．除A以外都對(duì)