A．缺陷離試件表面越近，形成的漏磁通越小
B．在磁化狀態(tài)、缺陷類型和大小為一定時(shí)，其漏磁通密度受缺陷方向影響
C．交流磁化時(shí)，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時(shí)的漏磁通要小
D．在磁場(chǎng)強(qiáng)度、缺陷類型和大小為一定時(shí)，其漏磁通密度受磁化方向影響；
E．除A以外都對(duì)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、與磁化電流的大小無(wú)關(guān)
B、與磁化電流的大小有關(guān)
C、當(dāng)缺陷方向與磁化場(chǎng)方向之間的夾角為零時(shí)，漏磁場(chǎng)最大
D、與工件的材料性質(zhì)無(wú)關(guān)
A．缺陷方向與磁力線平行時(shí)，漏磁場(chǎng)最大
B．漏磁場(chǎng)的大小與工件的磁化程度無(wú)關(guān)
C．漏磁場(chǎng)的大小與缺陷的深度和寬度的比值有關(guān)
D．工件表層下，缺陷所產(chǎn)生的漏磁場(chǎng)，隨缺陷的埋藏深度增加而增大
A、它與試件上的磁通密度有關(guān)
B、它與缺陷的高度有關(guān)
C、磁化方向與缺陷垂直時(shí)漏磁通最大
D、以上都對(duì)
A、磁化強(qiáng)度為一定時(shí)，缺陷高度小于1mm的形狀相似的表面缺陷，其漏磁通與缺陷高度無(wú)關(guān)
B、缺陷離試件表面越近，缺陷漏磁通越小
C、在磁化狀態(tài)、缺陷種類和大小為一定時(shí)，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影響
D、交流磁化時(shí)，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時(shí)要小
E、當(dāng)磁化強(qiáng)度、缺陷種類和大小為一定時(shí)，缺陷處的漏磁通密度受磁化方向的影響
F、c，d和e都對(duì)
A、摩擦力
B、矯頑力
C、漏磁場(chǎng)
D、靜電場(chǎng)
最新試題
JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：兩條或兩條以上缺陷磁痕在同一直線上且間距不大于2mm時(shí)，按一條磁痕處理，其長(zhǎng)度為兩條磁痕之和加間距。
JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：直流退磁法是將需退磁工件放入直流磁場(chǎng)中，逐漸減小電流至零。
相關(guān)顯示是由漏磁場(chǎng)吸附磁粉形成的磁痕顯示。
用連續(xù)法檢測(cè)時(shí)，檢測(cè)靈敏度幾乎不受被檢工件材質(zhì)的影響，僅與被檢工件表面磁場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)。
用連續(xù)法檢測(cè)時(shí)，檢測(cè)靈敏度不僅與被檢工件表面磁場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)，還受被檢工件材質(zhì)的影響。
熒光磁粉檢測(cè)時(shí)，磁痕的評(píng)定應(yīng)在暗室或暗處進(jìn)行，暗室或暗處可見(jiàn)光照度應(yīng)不小于20Lx。
JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：采用軸向通電法和觸頭法磁化時(shí)，為了防止電弧燒傷工件表面，應(yīng)將工件和電極接觸部分清除干凈或在電極上安裝非導(dǎo)電物質(zhì)。
材料磁導(dǎo)率低（剩磁大）及直流磁化后，退磁磁場(chǎng)換向的次數(shù)（退磁頻率）應(yīng)較多，每次下降的磁場(chǎng)值應(yīng)較小，且每次停留的時(shí)間（周期）要略長(zhǎng)。
根據(jù)JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，磁粉檢測(cè)前的工件表面準(zhǔn)備包括打磨表面、安裝接觸墊、封堵盲孔和涂敷反差增強(qiáng)劑。
采用濕法時(shí)，應(yīng)確認(rèn)整個(gè)檢測(cè)面被磁懸液濕潤(rùn)后，再施加磁懸液。