區(qū)熔法（FZ法）的特點(diǎn)使用摻雜好的多晶硅棒； 優(yōu)點(diǎn)是純度高、含氧量低； 缺點(diǎn)是硅片直徑比直拉的小。
最新試題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
