區(qū)熔法（FZ法）的特點(diǎn)使用摻雜好的多晶硅棒； 優(yōu)點(diǎn)是純度高、含氧量低； 缺點(diǎn)是硅片直徑比直拉的小。
最新試題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
