氣相生長(zhǎng)晶體的關(guān)鍵是（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

氣相生長(zhǎng)的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動(dòng)到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺(tái)階運(yùn)動(dòng)蔓延整個(gè)表面，便生長(zhǎng)一層晶體薄膜。

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)的方法是（）

降溫法生長(zhǎng)關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

低維材料主要包括（）

屬于一維材料的有（）

關(guān)于溶膠凝膠法，下面哪些說(shuō)法是正確的？（）

在島的結(jié)合過(guò)程中，大島和小島相結(jié)合而部分消失，得到微晶具有（）的結(jié)晶取向。

按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類(lèi)？（）