氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

陶瓷燒結(jié)按照（）的不同可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。

固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）

不屬于影響成核過程的因素有（）

納米微粒具有大比表面，表面原子數(shù)下降、表面能和表面張力隨粒徑下降急劇增加等現(xiàn)象，表現(xiàn)出哪些獨有的特性？（）

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應具有（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）

關于液相燒結(jié)正確的說法有（）