影響CVD質(zhì)量的因素有（）

下列哪種方法不屬于化學(xué)反應(yīng)沉積鍍膜法？（）

降溫法生長(zhǎng)關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

適合熔體生長(zhǎng)可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

不屬于影響成核過程的因素有（）

低維材料主要包括（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，Pd，Pt為面心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

完全光滑界面的生長(zhǎng)是通過（）而進(jìn)行的。

薄膜的生長(zhǎng)過程主要包含哪幾種類型？（）

有關(guān)表面能級(jí)圖描述不正確的說法有（）。