集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

MOS器件存在哪些二階效應？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。