判斷題有限表面源擴(kuò)散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù)，兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。
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什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
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版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
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MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
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什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。
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MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
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從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。
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把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：?jiǎn)柎痤}
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
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