利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

由于襯底材料的緣故會自動產生電容，這種電容稱為（）。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

集成電路電阻可以通過（）產生。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。