填空題硅氣相外延的硅源有()、()、()、()等。
您可能感興趣的試卷
![](https://static.ppkao.com/ppmg/img/appqrcode.png)
最新試題
從設計的觀點出發(fā),版圖設計規(guī)則應包括哪些部分?
題型:問答題
試用電導率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設計1kΩ的電阻,設電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
由于襯底材料的緣故會自動產生電容,這種電容稱為()。
題型:單項選擇題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據是什么?
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設計上采取哪些措施?
題型:問答題
規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么?
題型:問答題
BiCMOS技術就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。
題型:多項選擇題