例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

解釋離子束擴展和空間電荷中和。

解釋發(fā)生刻蝕反應的化學機理和物理機理。

解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？

例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。

描述曝光波長和圖像分辨率之間的關系。

例舉并描出旋轉涂膠的4個基本步驟。

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。