解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個基本步驟。

解釋什么是暗場掩模板？

光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個重要參數(shù)是什么？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

什么是結(jié)深？

什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？

例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。