描述電子回旋共振（ECR）。

解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。

例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題？

描述RF濺射系統(tǒng)。

例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡要解釋。