單項選擇題
失鈉多于失水，血清鈉濃度<130mmol/L為（）
A.等滲性脫水
B.高滲性脫水
C.低滲性脫水
D.中度脫水
E.重度脫水
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摻砷的硅片是N型半導體，這種半導體中的電子濃度是2×1021個／m。，電阻率是1.6×10－2Ω·m。用這種硅做成
霍爾探頭以摻砷的硅片是N型半導體，這種半導體中的電子濃度是2×10 21 個/m。，電阻率是1.6×10 -2 Ω·m。用這種硅做成霍爾探頭以測量磁場，硅片的尺寸相當小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。將此片長度的兩端接入電壓為1v的電路中。當探頭放到磁場某處并使其最大表面與磁場某方向垂直時，測得0.2cm寬度兩側(cè)的霍爾電壓是1.05mV。求磁場中該處的磁感應(yīng)強度
摻砷的硅片是N型半導體，這種半導體中的電子濃度是2×1021個／m3，電阻率是1.6×10－2Ω·m。用這種硅做成
霍爾探頭以摻砷的硅片是N型半導體，這種半導體中的電子濃度是2×10 21 個/m 3 ，電阻率是1.6×10 -2 Ω·m。用這種硅做成霍爾探頭以測量磁場，硅片的尺寸相當小，是0.5cm×0.2cm×0.005cm。將此硅片長度的兩端接入電壓為1V的電路中。當探頭放到磁場某處并使其最大表面與磁場某方向垂直時，測得0.2cm寬度的探頭兩側(cè)的霍爾電壓是1.05mV。求磁場中該處的磁感應(yīng)強度