摻砷的硅片是N型半導(dǎo)體，這種半導(dǎo)體中的電子濃度是2×1021個(gè)／m。，電阻率是1.6×10－2Ω·m。用這種硅做成

霍爾探頭以摻砷的硅片是N型半導(dǎo)體，這種半導(dǎo)體中的電子濃度是2×10 21 個(gè)/m。，電阻率是1.6×10 -2 Ω·m。用這種硅做成霍爾探頭以測(cè)量磁場(chǎng)，硅片的尺寸相當(dāng)小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。將此片長(zhǎng)度的兩端接入電壓為1v的電路中。當(dāng)探頭放到磁場(chǎng)某處并使其最大表面與磁場(chǎng)某方向垂直時(shí)，測(cè)得0.2cm寬度兩側(cè)的霍爾電壓是1.05mV。求磁場(chǎng)中該處的磁感應(yīng)強(qiáng)度


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摻砷的硅片是N型半導(dǎo)體，這種半導(dǎo)體中的電子濃度是2×1021個(gè)／m3，電阻率是1.6×10－2Ω·m。用這種硅做成

霍爾探頭以摻砷的硅片是N型半導(dǎo)體，這種半導(dǎo)體中的電子濃度是2×10 21 個(gè)/m 3 ，電阻率是1.6×10 -2 Ω·m。用這種硅做成霍爾探頭以測(cè)量磁場(chǎng)，硅片的尺寸相當(dāng)小，是0.5cm×0.2cm×0.005cm。將此硅片長(zhǎng)度的兩端接入電壓為1V的電路中。當(dāng)探頭放到磁場(chǎng)某處并使其最大表面與磁場(chǎng)某方向垂直時(shí)，測(cè)得0.2cm寬度的探頭兩側(cè)的霍爾電壓是1.05mV。求磁場(chǎng)中該處的磁感應(yīng)強(qiáng)度