單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于單掃描伏安法的說(shuō)法中錯(cuò)誤的是()
A.單掃描伏安法以滴汞電極為工作電極,其基本思想和理論可適用于一般的微電極做工作電極的情況
B.單掃描伏安法的峰電流與電位掃描速率有關(guān)
C.單掃描伏安法的峰電流與電極面積的大小無(wú)關(guān)
D.單掃描伏安法中待測(cè)物質(zhì)的峰電位可作為物質(zhì)定性分析的依據(jù)
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1.單項(xiàng)選擇題單掃描伏安法定量測(cè)量的依據(jù)是()
A.待測(cè)物質(zhì)伏安曲線的峰電流與其濃度成正比
B.待測(cè)物質(zhì)伏安曲線的峰電位與其濃度成正比
C.待測(cè)物質(zhì)伏安曲線的峰電流與其濃度的平方成正比
D.待測(cè)物質(zhì)伏安曲線的峰電流與其濃度的二分之一次方成正比
2.單項(xiàng)選擇題與經(jīng)典極譜法相比,下列哪個(gè)優(yōu)勢(shì)是單掃描伏安法所不具備的()
A.電位掃描速度更快,電流不受滴汞電極面積變化的影響
B.用三電極系統(tǒng),電位測(cè)量回路直接監(jiān)測(cè)工作電極的電位
C.伏安曲線為峰形,測(cè)量的是峰電流
D.克服了殘余電流對(duì)峰電流測(cè)量的影響