單項(xiàng)選擇題單掃描伏安法定量測(cè)量的依據(jù)是（）
A.待測(cè)物質(zhì)伏安曲線的峰電流與其濃度成正比
B.待測(cè)物質(zhì)伏安曲線的峰電位與其濃度成正比
C.待測(cè)物質(zhì)伏安曲線的峰電流與其濃度的平方成正比
D.待測(cè)物質(zhì)伏安曲線的峰電流與其濃度的二分之一次方成正比
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1.單項(xiàng)選擇題與經(jīng)典極譜法相比，下列哪個(gè)優(yōu)勢(shì)是單掃描伏安法所不具備的（）
A.電位掃描速度更快，電流不受滴汞電極面積變化的影響
B.用三電極系統(tǒng)，電位測(cè)量回路直接監(jiān)測(cè)工作電極的電位
C.伏安曲線為峰形，測(cè)量的是峰電流
D.克服了殘余電流對(duì)峰電流測(cè)量的影響
2.多項(xiàng)選擇題下列對(duì)經(jīng)典極譜法定量測(cè)量產(chǎn)生干擾的是（）
A.擴(kuò)散電流
B.殘余電流
C.遷移電流
D.極譜極大
