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已知某DRAM芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)為128×128，存取周期為1us。試分析：
（1）若采用集中式刷新方式，刷新時(shí)間間隔為1ms，則讀寫(xiě)時(shí)間和刷新時(shí)間分為多少個(gè)周期？死區(qū)占多少時(shí)間？
（2）若采用分散式刷新方式，則相鄰兩行之間的刷新間隔是多少？

設(shè)某處理器具有四段指令流水線(xiàn)：IF（取指令）、ID（指令譯碼及取操作數(shù)）、EXE（ALU執(zhí)行）和WB（結(jié)果寫(xiě)回），每一個(gè)子過(guò)程的執(zhí)行時(shí)間為T(mén)，現(xiàn)處理器執(zhí)行如下指令序列：

（1）如果采用非流水線(xiàn)技術(shù)，處理器執(zhí)行這3條指令需要多長(zhǎng)時(shí)間？
（2）能否采用流水線(xiàn)技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以提高執(zhí)行速度？若能，請(qǐng)分析可能存在的問(wèn)題及解決方法。若不能，請(qǐng)說(shuō)明理由。