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問答題

【簡答題】
依照如圖，對硅片制造廠的六個分區(qū)分別做一個簡短的描述，要求寫出分區(qū)的主要功能、主要設備以及顯著特點。

答案：

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多項選擇題

對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。

A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。

單項選擇題

離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。

A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應
D. 溝道效應