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多項選擇題

對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。

A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。

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單項選擇題

離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。

A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應
D. 溝道效應

單項選擇題

雜質(zhì)在硅晶體中的擴散機制主要有兩種，分別是間隙式擴散機制和替代式擴散機制。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結構的一部分，即（），才有助于形成半導體硅。

A. 激活雜質(zhì)后
B. 一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中的運動
C. 預淀積
D. 高溫多步退火

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