問(wèn)答題
將十進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù)、八進(jìn)制數(shù)、十六進(jìn)制數(shù)和BCD數(shù)。
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最新試題
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來(lái)存儲(chǔ)信息的。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
主存儲(chǔ)器通常由以下哪些部分組成?()
題型:多項(xiàng)選擇題
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫(xiě)出[X]反,正確結(jié)果為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新(refresh)”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題