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柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新(refresh)”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
A.寫(xiě)入
B.假寫(xiě)
C.讀出
D.假讀
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單項(xiàng)選擇題
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來(lái)存儲(chǔ)信息的。
A.電源
B.電極
C.電感
D.電容
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單項(xiàng)選擇題
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電,使得RAM成為了()。
A.靜態(tài)RAM
B.動(dòng)態(tài)RAM
C.無(wú)源RAM
D.有源RAM
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