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填空題光刻膠的三種主要成分是：（）。正膠的感光劑是（），曝光使其（），正膠的曝光區(qū)在顯影后（）；曝光使負(fù)膠的感光劑（），使曝光區(qū)在顯影后（）。

1.填空題光學(xué)光刻機(jī)的主要曝光光線的是波長為（）的g線和（）的i線，適合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF準(zhǔn)分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

2.填空題光學(xué)光刻機(jī)主要有（）等幾種。非光學(xué)光刻機(jī)主要有（）。

3.填空題光刻工藝的主要工序有：（）組成。

4.填空題快速熱處理設(shè)備（RTP）的主要熱交換機(jī)制是（），常用熱源是（）。RTP的主要優(yōu)點(diǎn)是（）。

5.填空題CMOS工藝中，阱注入的計(jì)量為（）量級(jí)；源、漏注入的劑量為（）量級(jí)；開啟調(diào)整的注入劑量為（）量級(jí) ；場注入的的劑量為（）量級(jí)；離子束合成SOI材料SIMOX的O⁺注入計(jì)量為（）量級(jí)。