摻雜后，退火的目的是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的特點包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）