硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的（）組成的。

柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

寫出X=10111101的補碼表示，正確結(jié)果為（）。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補，正確結(jié)果為（）。

（）是指參與運算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

從給定的選項中選擇你認為正確的一項。A.半加器B.全加器C.原碼D.補碼E.數(shù)據(jù)校驗F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補碼直接參與運算，其中（）加減法運算的實現(xiàn)規(guī)則最簡單，電路實現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補碼加減法運算一定要（），否則無法確定是否正確。（4）使用雙符號位執(zhí)行加減法運算后，若兩個符號位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運算中數(shù)值位向符號位進位，或符號位向更高位進位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個進位輸出的（）操作來判斷。

若I/O類指令采用獨立編址，對系統(tǒng)帶來的影響主要是（）。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。