單項選擇題傳輸管邏輯的噪聲容限等于（）。
A.VDD/2
B.閾值電壓VT
C.VDD
D.VDD-VT
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題互補CMOS 2輸入與非門和偽NMOS 2輸入與非門相比，正確的表述是（）。
A.互補CMOS邏輯門的下降速度更快，靜態(tài)功耗更高
B.互補CMOS邏輯的下降速度更快，靜態(tài)功耗更低
C.偽NMOS邏輯的下降速度更快，靜態(tài)功耗更高
D.偽NMOS邏輯的下降速度更快，靜態(tài)功耗更低
2.多項選擇題增加去耦電容可以抑制Ldi/dt效應，那么芯片內(nèi)部去耦電容正確的放置方式是（）。
A.在芯片當中的任一位置上放置一個電容
B.靠近大的驅(qū)動器的地方應該放置去耦電容
C.電源線下方應該放置去耦電容
D.盡量遠離要穩(wěn)定的電源電壓的電路
