解釋什么是暗場掩模板？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。

解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？

光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？

例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。