單項(xiàng)選擇題FET共泄極放大器的電壓增益()
A.甚高
B.約等于μ
C.等于1
D.略小于1
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1.單項(xiàng)選擇題TO-3包裝之功率晶體管,其外殼為()
A.集極
B.射極
C.基底(substrate)
D.基極
2.單項(xiàng)選擇題典型金氧半晶體管(MOSFET)的閘極輸入端電阻值約為多少奧姆?()
A.108
B.109
C.1010
D.1014
3.單項(xiàng)選擇題輸入電阻最高的放大器是()
A.MOSFET源極隨耦器
B.射極耦合器
C.達(dá)靈頓射極耦合器
D.晶體管靴帶式放大器
4.單項(xiàng)選擇題2SK19為()
A.BJT
B.JFET
C.SCR
D.UJT
5.單項(xiàng)選擇題下列何種裝置有熱跑脫現(xiàn)象?()
A.N通道FET
B.P通道FET
C.雙極性晶體管
D.單極性晶體管
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