設(shè)有二維正方晶格,晶體勢(shì)為用近自由電子近似的微擾論,近似求出布里淵區(qū)頂角處的能隙.
半金屬交疊的能帶 由于能帶的交疊,能帶1中的部分電子轉(zhuǎn)移到能帶2中,而在能帶1中形成空穴, 討論T=0K的費(fèi)密能級(jí)
(1)證明一個(gè)自由簡(jiǎn)單晶格在第一布里淵區(qū)頂角上的一個(gè)自由電子動(dòng)能比該區(qū)一邊中點(diǎn)大2倍. (2)對(duì)于一個(gè)簡(jiǎn)單立力晶格在第一布里淵區(qū)頂角上的一個(gè)自由電子動(dòng)能比該區(qū)面心上大多少? (3)(2)的結(jié)果對(duì)于二價(jià)金屬的電導(dǎo)率可能會(huì)產(chǎn)生什么影響.