半金屬交疊的能帶 由于能帶的交疊,能帶1中的部分電子轉(zhuǎn)移到能帶2中,而在能帶1中形成空穴, 討論T=0K的費(fèi)密能級
(1)證明一個(gè)自由簡單晶格在第一布里淵區(qū)頂角上的一個(gè)自由電子動能比該區(qū)一邊中點(diǎn)大2倍. (2)對于一個(gè)簡單立力晶格在第一布里淵區(qū)頂角上的一個(gè)自由電子動能比該區(qū)面心上大多少? (3)(2)的結(jié)果對于二價(jià)金屬的電導(dǎo)率可能會產(chǎn)生什么影響.
有一一維單原子鏈,間距為a,總長度為Na。 (1)用緊束縛近似求出原子s態(tài)能級對應(yīng)的能帶E(k)函數(shù)。 (2)求出其能態(tài)密度函數(shù)的表達(dá)式。 (3)如果每個(gè)原子s態(tài)只有一個(gè)電子,求等于T=0K的費(fèi)米能級處的能態(tài)密度。