在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？