IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。