多項選擇題關(guān)于離子注入?yún)^(qū)形成非晶層的臨界劑量，下面哪幾種說法正確（）
A.靶溫升高，臨界劑量上升
B.注入離子越輕，臨界劑量越小
C.注入離子劑量率增大，臨界劑量降低
D.注入離子能量越高，臨界劑量越低
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1.多項選擇題擴散系數(shù)在何時不可以看成是常數(shù)（）
A.在本征硅上擴散摻入中等濃度的雜質(zhì)硼
B.在重摻雜p型硅上擴散摻入n型雜質(zhì)
C.在中等濃度p型硅上擴散摻入n型雜質(zhì)
D.在本征硅上擴散摻入高濃度的雜質(zhì)硼，同時進行氧化
2.單項選擇題擴散摻雜，擴散區(qū)要比掩膜窗口尺寸（），這是（）效應(yīng)引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。
A.大，場助擴散
B.大，橫向擴散
C.小，橫向擴散
D.大，氧化增強
4.單項選擇題通常掩膜氧化采用的工藝方法為（）
A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化
5.多項選擇題在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層（）
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE