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擴(kuò)散摻雜,擴(kuò)散區(qū)要比掩膜窗口尺寸(),這是()效應(yīng)引起的,它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。
A.大,場助擴(kuò)散
B.大,橫向擴(kuò)散
C.小,橫向擴(kuò)散
D.大,氧化增強(qiáng)
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制作一硅晶體管芯片,在最后用熱氧化方法制備了一層SiO
2
作為保護(hù)層。
答案:
錯(cuò)誤
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單項(xiàng)選擇題
通常掩膜氧化采用的工藝方法為()
A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化
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