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Al柵CMOS的極限特征尺寸是(),在6微米以下,一般采用()工藝
答案:
5微米;多晶硅柵
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填空題
為了降低臺階高度對金屬互連線的影響,在沉積金屬層前必須對圓片平坦化。平坦化的方法主要有()和()。沉積的回流介質(zhì)主要有:()
答案:
回流;化學(xué)機(jī)械拋光;硼硅玻璃(BSG)、磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)
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填空題
要實(shí)現(xiàn)金屬互連線與Si的良好歐姆接觸,還必須做()處理。為了避免鋁釘扎和電遷移現(xiàn)象,常用()、()合金和()替代純鋁。鋁合金化工藝的條件是:()
答案:
合金化;Al-Si;Cu-Al;Cu;450℃,30分,N
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