光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。