下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）