問答題

【簡答題】晶閘管并聯(lián)時(shí)，有幾種引起電流不平衡的原因？如何抑制？

答案： 由于并聯(lián)的各個(gè)晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的伏安特性各不相同，卻有相同的端電壓，因而通過并聯(lián)器件的電流是不等的。
為了使...
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問答題

【簡答題】IGBT在何種情況下會出現(xiàn)擎住效應(yīng)？使用中如何避免出現(xiàn)該效應(yīng)？
答案： 因?yàn)镮GBT是4層結(jié)構(gòu)，體內(nèi)存在一個(gè)寄生晶體管，在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間存在一個(gè)體區(qū)短路電阻，P型區(qū)的橫向空穴流...
問答題

【簡答題】功率MOSFET靜電保護(hù)措施有哪些？
答案： 功率MOSFET可采取3個(gè)方面的靜電保護(hù)措施：
①應(yīng)存放在防靜電包裝袋、導(dǎo)電材料包裝袋或金屬容器中，不能放在塑...
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