問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】IGBT在何種情況下會(huì)出現(xiàn)擎住效應(yīng)？使用中如何避免出現(xiàn)該效應(yīng)？

答案： 因?yàn)镮GBT是4層結(jié)構(gòu)，體內(nèi)存在一個(gè)寄生晶體管，在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間存在一個(gè)體區(qū)短路電阻，P型區(qū)的橫向空穴流...
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答案： 功率MOSFET可采取3個(gè)方面的靜電保護(hù)措施：
①應(yīng)存放在防靜電包裝袋、導(dǎo)電材料包裝袋或金屬容器中，不能放在塑...
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【簡(jiǎn)答題】功率MOSFET是電壓控制器件，是否需要柵極驅(qū)動(dòng)電流？
答案： 功率MOSFET是電壓控制器件，不需要柵極驅(qū)動(dòng)電流。但由于有柵源電容，還是需要很小的一點(diǎn)電流的。
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