A.0.98
B.0.985
C.0.99
D.0.995
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A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強(qiáng)型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道(channel)間一般是隔著二氧化硅(SiO2)
D.與增強(qiáng)型比較,空乏型在制造上多了離子布植(ionimplantation)的手續(xù)
A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度
A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應(yīng)
C.溫度效應(yīng)
D.閘極使用順向偏壓
右圖中,若Vin=10V、VBE=0.7V、VCE(SAT)=0.2V,β=50,則此晶體管工作于?()
A.作用區(qū)(順向主動區(qū))
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.反轉(zhuǎn)區(qū)(逆向主動區(qū))
A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA
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