單項(xiàng)選擇題

下列有關(guān)MOSFET之?dāng)⑹?，何者有誤？（）

A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強(qiáng)型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO₂）
D.與增強(qiáng)型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)

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單項(xiàng)選擇題

JFET之工作原理是控制（）

A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度

單項(xiàng)選擇題

通常接面場效晶體管（JFET）輸入阻抗大是因?yàn)椋ǎ?/h4>

A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應(yīng)
C.溫度效應(yīng)
D.閘極使用順向偏壓

下列有關(guān)MOSFET之?dāng)⑹?，何者有誤？（）

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JFET之工作原理是控制（）

通常接面場效晶體管（JFET）輸入阻抗大是因?yàn)椋ǎ?/h4>

下列有關(guān)MOSFET之?dāng)⑹?，何者有誤？（）