- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項
填空題
CMOS工藝中，阱注入的計量為（）量級；源、漏注入的劑量為（）量級；開啟調(diào)整的注入劑量為（）量級 ；場注入的的劑量為（）量級；離子束合成SOI材料SIMOX的O+注入計量為（）量級。
答案：
1012/cm2；1015/cm2；1011/cm2；1013/cm2；1018/cm2
你可能感興趣的試題
填空題
淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來獲得。
答案：
降低注入離子能量；分子離子注入；快速熱退火；P；n；BF2+離子替代B+注入；降低B+注入能量；硅注入表面預(yù)非晶化
