注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）。可寫成：
最新試題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
光刻工藝的特點包括（）。
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
