單項(xiàng)選擇題晶體的線性生長(zhǎng)速率與溫度有關(guān),溫度(),晶體線性生長(zhǎng)速率越大。
A.越低
B.越高
C.在合適的過冷度下
D.無變化規(guī)律
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1.單項(xiàng)選擇題在晶體生長(zhǎng)過程中,晶體一側(cè)的原子向熔體一側(cè)擴(kuò)散時(shí),其吉布斯自由能變化是()。
A.?Ga
B.-V?Gv
C.?Ga +V?Gv
D.?Ga-V?Gv
2.單項(xiàng)選擇題晶體生長(zhǎng)速率類似于()過程,取決于()。
A.熔融;從熔體一側(cè)移動(dòng)到晶體一側(cè)原子數(shù)目
B.擴(kuò)散;從晶體一側(cè)移動(dòng)到熔體一側(cè)原子的數(shù)目
C.熔融過程;從熔體一側(cè)移動(dòng)到晶體一側(cè)原子數(shù)目和晶體一側(cè)移動(dòng)到熔體一側(cè)原子的數(shù)目之差
D.擴(kuò)散過程;從熔體一側(cè)移動(dòng)到晶體一側(cè)原子數(shù)目和晶體一側(cè)移動(dòng)到熔體一側(cè)原子的數(shù)目之差