單項(xiàng)選擇題在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，晶體一側(cè)的原子向熔體一側(cè)擴(kuò)散時(shí)，其吉布斯自由能變化是（）。

A.?Ga
B.-V?Gv
C.?Ga +V?Gv
D.?Ga-V?Gv


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1.單項(xiàng)選擇題晶體生長(zhǎng)速率類(lèi)似于（）過(guò)程，取決于（）。

A.熔融；從熔體一側(cè)移動(dòng)到晶體一側(cè)原子數(shù)目
B.擴(kuò)散；從晶體一側(cè)移動(dòng)到熔體一側(cè)原子的數(shù)目
C.熔融過(guò)程；從熔體一側(cè)移動(dòng)到晶體一側(cè)原子數(shù)目和晶體一側(cè)移動(dòng)到熔體一側(cè)原子的數(shù)目之差
D.擴(kuò)散過(guò)程；從熔體一側(cè)移動(dòng)到晶體一側(cè)原子數(shù)目和晶體一側(cè)移動(dòng)到熔體一側(cè)原子的數(shù)目之差