判斷題制作一硅晶體管芯片，在最后用熱氧化方法制備了一層SiO2作為保護(hù)層。
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1.單項(xiàng)選擇題通常掩膜氧化采用的工藝方法為（）
A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化
2.多項(xiàng)選擇題在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層（）
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
5.單項(xiàng)選擇題磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率（）
A.軸向均勻
B.軸向遞減
C.軸向遞増
D.徑向遞減
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常壓的硅外延方法有（）。
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互連工藝中AL的制備可選用（）。
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下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
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