光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。